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我们展示了具有拓扑绝缘体Bi2Se3吸收体的高重复频率调Q光纤激光器。 使用具有规则形状的几层Bi 2 Se 3纳米片,通过旋涂法将吸收体制成膜结构。 均匀的薄膜具有11 MW / cm(2)的低可饱
Yb:KGW 激光晶体可用半导体抽运获得瓦级输出,这是由于其本身具备宽的增益带宽(24 nm),大的激光发射截面(2.8×10-20 cm2),以及良好的热导性能(3.3 W/m·K)。Yb:KGW
基于拓扑绝缘体Bi2Se3的1313 nm Q开关Nd:LiYF4纳秒激光器
基于CdTe/CdS量子点的调Q Pr:YLF红光激光器，严希滚，罗塞雨，本文报道了将CdTe/CdS量子点用作被动调Q可饱和吸收材料，在二极管泵浦的Pr:YLF晶体中产生红光可见光调Q脉冲激光，获得
Bi2Te3/Bi2Se3拓扑绝缘体的点缺陷研究，姜颖，王勇，通过分子束外延（MBE）方法制备出Sb/Cr掺杂的Bi2Te3以及Fe掺杂的Bi2Se3材料。联合利用电子背散射衍射（EBSD）仪及聚焦离
被动调Q激光器的MATLAB仿真
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Cr掺杂Bi2Se3薄膜拓扑绝缘子的原子尺度磁性
被动调Q圆柱矢量光纤激光器
掺有Tm3 +的光纤激光器泵浦的被动调Q的Ho:YLF激光器
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