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采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED
用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了
用剂量为1.72×1019 n/cm2和1.67×1020 n/cm2的中子对掺氮6H-SiC单晶进行辐照,利用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱等方法研究了辐照引起的晶格损伤及随退火温度的回复过程。
大功率LED用SiC衬底刻蚀研究，衣振州，申人升，本文采用感应耦合等离子体（ICP）设备，以SF6与02作为刻蚀气体,系统研究了大功率发光二极管（LED）用碳化硅（SiC）衬底刻蚀的工艺参数
报道了6H-SiC衬底外延生长的石墨烯作为可饱和吸收体,环形腔结构的全正色散被动锁模掺镱光纤激光器。在注入抽运功率为250 mW时,得到稳定的重复频率为1.05 MHz的自锁模脉冲,平均输出功率为6
6H-SiC晶片集群磁流变研磨工艺优化，刘其，阎秋生，本文采用集群磁流变研磨方法对单晶6H-SiC基片进行研磨试验，以材料去除率和表面粗糙度为评价指标，分析了不同种类磨粒与羰基铁粉的
图形化衬底上外延结构的形态演化,倪勇,何陵辉 ,本文采用相场数值模拟研究了图形化衬底上外延形态演化及其可调控性。发现通过在衬底表面预制合适的图形,改变外延层表面初始的应
为了制作高亮度LED,需要在图形化蓝宝石衬底上生长GaN材料。通过光刻在平坦蓝宝石衬底上制作掩膜图形,通过刻蚀将图形转移到蓝宝石衬底,得到图形化蓝宝石衬底。在图形化蓝宝石衬底上进行GaN的侧向外延生长
研究了通过高温氢化物气相外延(HVPE)在Si面和C面6H-SiC衬底上生长的AlN膜。 研究了V / III比变化对衬底极性的影响,研究了异质外延AlN薄膜的生长模式,结构特性和晶体质量。 随着V
基于6H-SiC的耐高温MOEMS加速度计
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