MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究,贾慧民,王彪,采用分子MBE生长Be掺杂GaAs光学特性及硫钝化处理研究束外延(MBE)技术在半绝缘GaAs衬底上外延获得表面形貌均匀,晶体质量较好,掺杂浓度