退火温度对NdFeB薄膜磁性能的影响

在脉冲激光沉积法制备类金刚石薄膜的实验中,保持其他实验参数不变,衬底温度分别取30,200,400和600 °C来沉积类金刚石薄膜。用拉曼光谱仪和X射线光电子能谱仪对不同衬底温度下沉积的类金刚石薄膜的

热退火对离子注入制备Si纳米晶发光性能的影响，周小东，任峰，本文采用离子注入法将Si离子注入到非晶SiO2介质中，并结合热退火处理制备了Si纳米晶。系统研究了热退火条件对Si纳米晶光致发光（PL）

退火和铝吸杂对太阳能多晶硅性能的影响，张俊峰，陈秀华，在不同的温度下对纯度为99.999%的冶金法太阳能级多晶硅片分别进行退火和铝吸杂实验研究，用金相显微镜和电子背散射衍射（EBSD）观察�

退火温度对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响，王一义，孙颉，采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6表面分别制备了Au和In电极，探讨了氮气气氛下快速退火对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高

退火温度对深冲板St15织构演变影响的，孙景宏，刘雅政，运用确定性二维元胞自动机方法，以再结晶模拟结果以及深冲板St15退火织构为初始条件和参照，对深冲板再结晶退火的晶粒长大过程进�

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快速热处理对PZT薄膜的微观形貌以及电学性能的影响，杨帆，杨成韬，利用射频磁控溅射法制备出PZT薄膜，在不同温度下进行快速热处理，之后通过P-E曲线、XRD、AFM分析系统研究了快速热处理工艺对PZT

不同退火方式处理的SmCo基薄膜的晶体结构,微观结构和磁性

悬浮液中的胶体和分子溶质被排除在各种亲水性表面附近，从而形成了数百微米的排斥区（EZ）。 在许多类型的表面附近都观察到了这种禁区，包括人造和天然水凝胶，生物组织以及亲水性聚合物。 古老的研究表明，在存

采用射频溅射法制备了Ag8In14Sb55Te23相变薄膜,对沉积态薄膜在300°C时进行了热处理,测量了不同厚度薄膜的反射、吸收谱及光学常数.研究了薄膜的光学常数与薄膜厚度的关系,结果表明在一定的厚