通过在InAs / InP和基于InAs / GaAs的引脚结构上进行取决于温度的电流-电压和电致发光测量，研究了包含量子点层（QD）的长波长半导体激光器结构的电荷转移特性。 在InAs / InP细长QD（QDashes）结构中，注入的载流子通过薄壁垒从量子阱隧穿到QDash中，随后在QDash中重新组合。 同时，对于InAs / GaAs结构，在正向和反向偏压方向上均表现出隧穿型传输。 通过电致发光测量，当InAs / InP（InAs / GaAs）引脚结构的正向偏压超过1.3 V（3 V）时，就会发生光的出现。 InAs / InP QDash和InAs / GaAs QD发出的激光的