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针对新型高效叠层砷化镓太阳电池[反向外延生长3 结晶格失配太阳电池(IMM-3J)、反向外延生长4 结晶格失配太阳电池(IMM-4J)],提出与其相匹配的四层宽带减反射膜的设计方案。利用电子束热蒸发的
设计了一种基于非晶硅的太阳电池新结构。在所设计的结构中,减反膜由双层光栅构成。硅(Si)薄膜被刻蚀成阵列菲涅耳波带片(非周期性光栅)结构,可以使得光聚焦到非晶硅薄膜中, 并且可以节约Si 材料的用量。
不同周期厚度的1 eV GaNAs/InGaAs超晶格太阳电池材料的MBE生长和器件特性
GB 11009-1989 太阳电池光谱响应测试方法
太阳电池光谱响应测试方法 GB 11009-1989
高温下半导体材料性能会发生变化,影响太阳电池光电转换效率。为了了解GaInP/GaAs/Ge 三结太阳电池在聚光和高温条件下的工作性质,研究了热加载后的三结太阳电池样品在定压下的电致发光谱,发现受热后
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飞秒激光刻蚀增强非晶硅薄膜太阳电池性能的研究
世界上成功在富勒烯C70中以二元水平种植水分子的实验方案，对于在范德华斯密闭空间（如富勒烯）中追求可预测的三重水分子和多水分子的理论特性至关重要。 在这里，我们通过ab-initio方法研究富勒烯C6
提出了一种可以吸收宽光谱的晶体硅薄膜太阳电池结构,其中增透膜为三角形衍射光栅,背反射层由以晶体硅为背景的三角晶格的空气圆柱形光子晶体组成。采用严格耦合波理论和平面波展开法,模拟研究了衍射光栅和光子晶体
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