基于AlN/AlGaN超晶格结构高质量Si掺杂Al0.49Ga0.51N的MOCVD生长,李洋,陈圣昌,在本论文中,通过采用一套20周期的AlN/Al0.4Ga0.6N超晶格插入层制备了高质量的Si掺杂Al0.49Ga0.51N,厚度达到1.5μm。(0002)面X射线衍射仪测�