具有深高宽比的SiO2/GaAs纳米图形衬底的制作工艺,李玉斌,王琦,本文采用电子束光刻技术及反应离子刻蚀技术在GaAs(100)衬底上制作了深宽比>1的(深宽比=槽深/槽宽)周期性的SiO2纳米槽。这种纳米图