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详细介绍了MOS管的工作原理，以及相应的用法，ppt格式
The TD310 is a triple MOS or IGBT driver whichintegrates all functions suited for compact andhighly
这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及
这里介绍的逆变器主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。
1)由于MOS场效应管的输人电阻非常高,容易造成感应电压过高而击穿。在焊接时,不论是将管子焊到电路上,还是从电路上取下来,应先将各极短路,并先焊漏、源极,后焊栅极。还应注意把电烙铁地线接好,或者断开电
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,
维修电磁炉烧场效应管是最头痛的事,本方法解决这问题。
1.V-MOS场效应管的结构 V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散,然后利用硅的各向异性刻蚀技术,刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引
表列出了一些小功率MOS场效应管的主要特性参数。 一些小功率场效应管主要特性参数
1极间电容。场效应管的三个电极间都存在着极间电容,即栅源电容CGS、栅漏电容CGD和源漏电容CDS。CGS和CGD一般为1~3PF,CDS约为0.1~1pF 2漏源最大电流IDM。 它是指场效应管
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