论文研究 基于0.18um工艺的Ku/K波段CMOS功率放大器 .pdf

基于0.18um工艺的Ku/K波段CMOS功率放大器，赵怡，刘智卿，设计了一种基于0.18umCMOS工艺的Ku/K波段功率放大器的设计。电路采用两级共源共栅放大器级联放大，通过优化驱动放大电路与功率

X波段宽带功率放大器，毕业设计，本文采用的是 GaN 材料单管模式设计功率放大器，采用线性度最好的 A 类功放作为设计原型。分析了功率放大器和微带线理论以及阻抗变换网络的基本理论，选取了 cree 公

采用TSMC 0.18um CMOS工艺设计的2.4GHz WLAN功率放大器、电子技术,开发板制作交流

MB-OFDM功率放大器的CMOS实现，梁诚，，本篇论文给出了一种操作于1.8V电压，可应用于UWBMB-OFDM系统的宽带放大器的设计方案。方案适用于3.168G至4.752G射频段，采用了反馈共源

由晶体三极管T1组成推动级也称前置放大级低频功率放大器（OTL功率放大器）

S波段微波固态功率放大器设计，刘洪利，，采用GaAs功率晶体管设计出了S波段400MHz带宽的固态功率放大器。该功率放大器采用三级放大电路，1dB压缩点功率典型值大于7.5W，实现了饱

无处不在的 无线技术 为高集成度电路创造了市场需求,比如发信机、接收机,以及片上频率合成器等。硅 CMOS 技术把这种集成变为 可 能,然而 功率放大器 (PA) 却是个例外,它仍然是用非 CMOS

文档里面有对高频功率放大器的详细介绍及其发展，另外还附有仿真图，以及相关的仿真软件的介绍

射频CMOS功率放大器的研究与应用

为了在更高的电源电压下工作,并便于匹配网络的设计,电路采用两级共源共栅架构。采用自偏置技术放宽功放的热载流子降低的限制并减小采用厚栅晶体管所带来的较差的射频性能。同时使用带隙基准产生一个稳定且独立于工