SiGe/Si HBT是一种以Si为衬底的新型器件，与传统的双极型晶体管相比，SiGe/Si HBT具有很多优点，包括高电流增益，良好的频率特性和低噪声，能带工程和掺杂工程的引进使得设计更加自由。本论文描述了SiGe/Si HBT的基本制作工艺流程，研究了SiGe材料外延工艺，发射极台面刻蚀工艺，N型掺杂多晶硅和硅化物制作工艺，并且探究了一种关键过程控制方法。这种最大电流增益的NPN SiGe/Si HBT是通过下面工艺流程制作的。