在本文中，利用流体动力学模拟研究了沟道长度为22 nm的绝缘体上硅（SOI）和金刚石上硅（SOD）晶体管的热效应和漏极诱导势垒降低（DIBL）。 与二氧化硅的热导率相比，金刚石的热导率明显更高。 因此，金刚石硅晶体管中的热传递更快。 SOD的晶格温度低于类似SOI的晶格温度。 通过在第一晶体管导通并处于活动状态的集成电路中使用SOD，相邻晶体管将具有与活动晶体管相同的热量。 结果，DIBL因子将增加； 这是CMOS应用中不希望的现象。 为了解决这个问题，我们提出了一种新的方法，即减小晶体管内部的埋入金刚石层的厚度。 由于这种变化，有源晶体管的DIBL将得到改善，侧面晶体管的多余晶格热量将通过器