硅太阳能电池的效率直接与其基础中光生载流子的数量有关。 它随着太阳能电池底部载流子数量的增加而增加。 太阳能电池底部的载流子密度随穿过太阳能电池的光子通量的增加而增加。 用于增加太阳能电池的被照射侧上的光子通量的方法之一是增强照明光。 然而，光的增强伴随着由热释放，载流子之间的碰撞，由于载流子浓度梯度电场引起的制动而释放的能量的增加，载流子浓度梯度电场导致太阳能电池底部的温度升高。 这项工作提出了3D研究，即在强光照射下温度对多晶硅太阳能电池电子参数的影响。 我们用来分析温度效应的电子参数是：太阳能电池载流子（电子和空穴）的迁移率，它们的扩散系数，它们的扩散长度以及它们在基体中的分布。 为了研