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MOSFET的甄选从选择能够应付所要求的电流、提供足够的散热通道开始,在确定了要求的散热量并确保了散热途径后结束。本文介绍了计算MOSFET功率耗散和确定其工作温度的步骤说明,并辅以多相位、同步矫正、
0 引言 目前电镀电源应用越来越广,人们对其品质要求也越来越高。随着半导体技术的进步,电镀电源逐渐向高频高效化、大功率化发展,使得电镀电源具有更高的功率密度、快速的响应能力以及更小的体积。但常规P
介绍了一种具有多路输出的单端反激式开关电源的设计方法,给出了利用单片开关电源集成芯片TOP243Y的电源设计实例,对外围输入EMI滤波电路、钳位电路、高频变压器、输出整流滤波电路等
设计了一种基于PWM控制器和MOSFET集成芯片TOPSwitch-FX TOP234Y的数控开关电源,对一些关键技术进行了详细的介绍和分析。如果要求更高精度的可调电源时可以增加计数器和数模转换的位数
电源历来是各种电子设备中不可缺少的组成部分，其性能优劣直接关系到电子设备的技术指标及能否安全可靠地工作。单片开关电源自问世以来便显示出其强大地优越性，是设计开发各种高效率中、小功率开关电源的优势器件。
基于TOP243Y的单片反激开关电源设计
PF1000A_360和IPM_4M大功率开关电源的模块设
大功率开关电源的EMC测试分析及正确选择EMI滤波器.pdf
有源钳位全桥电路抑制了副边整流管反向恢复所致的尖峰和振荡(换言之，即实现了副边整流管的软开关)，但桥臂功率器件仍在硬开关环
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