论文研究 使用植入的超高分子量聚乙烯结构(UHMWPE)进行离子辐射检测

研究了离子注入（包括影响（1×1013-1015离子/ cm2）的Ar +离子）对超高分子量聚乙烯（UHMWPE）的电学和光学性能的影响，尤其着重于传感器性能。辐射探测领域。 侧重于不同影响的影响而获得的结果表明，电导率，电容和损耗角正切值发生了显着变化。 记录UHMWPE样品的吸收光谱，并计算UHMWPE允许的直接和间接光能隙（Eopt）d，（Eopt）in的值以及原始和植入样品的局域能。 我们发现光能隙值随着辐射剂量的增加而减小。 可以基于离子束辐射引起的UHMWPE线性链中的损伤以及注入后产生的交联来解释结果。 观察到的光学和电学性质的变化表明，UHMWPE膜可被视为在室温下实现离子辐射