在盖革模式下工作的雪崩光子二极管和雪崩二极管阵列具有单光子检测功能。 保护环的结构是避免雪崩二极管过早边缘击穿并增加最大偏置电压的关键因素。 在这封信中提出了一种新的保护环结构，其中将浮动保护环放在p阱保护环的外部。 仿真结果表明，所提出的保护环的最大偏置电压高于现有技术的方法。