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上图有两个问题：1、浮地电容太大，影响快速开关；2、高端驱动利用的是浮地电容中的电荷，选取电容时要使用漏电流小的瓷片电容，尽量保证高端驱动时有足够的驱动电压。上图在每个高端MOSFET 的栅极和源极之
如何用数字万用表对三极管 MOS管正确测量
枪温度调试,把风枪调到 320 度,风速 1 档,MOS 管属于小型玻璃管 , 容易夹裂,所以在拆的时候一定要小心 , 撬的时候用力一定轻 , 要顾及周围的元器件不能碰到 , 如果有带胶的芯片需要避开
采用两片IR2101和TL494设计的全桥开关电源驱动模块。电路结构简洁功能强大，下面电路可以直接1KW-1.5KW开关电源。 IRFP460MOS/20A开关电源驱动模块电路 IR2101的IO输出
文件名 大小 MOS管驱动电路设计秘籍(工作原理+电路设计+问题总结)/MOSFET管经典驱动电路设计大全.pdf MOS管驱动电路设计秘籍(工作原理+电路设计+问题总结)/MOSFET驱动电路设计参
对最流行电路解决方案和他们的性能进行了分析，这包括寄生部分的影响、 瞬态的和极限的工作情况。整篇文章开始于对 MOSFET 技术和开关工作的概述， 随后进行简单的讨论然后再到复杂问题的分析。仔细描述了
MOS管选型技巧 选择到一款正确的MOS管,可以很好地控制生产制造成本,为重要的是,为产品匹配了一款恰当的元器件,这在产品未来的使用过程中,将会充分发挥其“螺丝钉”的作用,确保设备得到效、稳定、持
MOS管的工作原理:目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是MOSFET(MOS管),是利用半导体表面的电声效应进行工作的。也称为表面场效应器件。由于它的栅极处于不导电状态,所以输入电阻可以大大提高,最高可达
MOS管又称场效应管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一
基于光耦控制N沟道MOS管控制电路，电路采用低导通，基于STM32引脚设计-------原理图文件
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