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产品型号:NUP4301MR6T1G雪崩电压VBRmin(V):70雪崩电压VBRnom(V):-雪崩电压VBRmax(V):-IT(mA):0.100最大反向漏电流IR(nA):30峰值反向工作电压
2007年11月19日,全球的高能效电源半导体解决方案供应商安森美半导体 (ON Semiconductor) 针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD),扩充了公司的电路保护解
电源管理和电路保护半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的超低电容静电放电(ESD)保护器件系列的首款产品。新的ESD9L是一款单线ESD保护器件,提供0.5皮法(
高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出采用超小SOT-953封装的新系列低电容ESD保护阵列。这些器件封装尺寸仅为1.0mm×1.0mm×0.5mm,是讲
安森美半导体 (ON Semiconductor) 针对电信应用推出新的NPxxx系列晶闸管浪涌保护器件(TSPD),扩充了公司的电路保护解决方案阵容。 NPxxx系列的44款器件为中心局(CO)
日前,安森美半导体(ON Semiconductor)推出新的超低电容晶闸管浪涌保护器件(TSPD)——NP-MC系列,保护敏感的电子设备免受瞬态过压情况下的影响。NP-MC系列器件的电容值比市场上现
安森美半导体扩展其PureEdgeTM高性能时钟产生产品系列,推出NB3N3002和NB3N5573这两款在同类产品中为最佳的器件。 安森美半导体亚太区标准产品部市场营销副总裁麦满权说:“当我们向
受市场动力、人口趋势、政府政策、医疗行业结构及增长等综合因素的推动，中国医疗设备行业颇具发展前景。医疗设备制造商要想走在
ESD经常发生，影响到所有手持设备。必须对IC加以保护，因为其中大多数无法承受高于2 kV的ESD。安森美半导体的ESD保护器件以最快的响应时间和最低的钳位电压钳制IEC 61000-4-2 ESD抑
对于电子产品而言，保护电路是为了防止电路中的关键敏感型器件受到过流、过压、过热等冲击的损害。保护电路的优劣对电子产品的质
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