开发了一个模型来模拟可能在半导体制造中使用的典型沉积反应器的下游引起失控放热反应的过程。 该过程模型考虑了质量和热传输的各种模式以及化学反应，并深入了解了引发不受控制的能量反应并导致潜在破坏性热点形成的关键机制。 使用开发的模型，进行了参数研究，以分析各种系统和操作条件的影响。 特别是分析了气态反应物浓度和进入温度，沉积物积聚程度，气体流速以及反应活化能和反应热的影响，并分析了每种情况下热点形成的位置和时间确定。 该结果可用于制定缓解有害能量事件发生的策略。