论文研究 P席夫碱和Tris衍生的空穴缓冲材料可增强聚合物发光二极管的发射效率
插入空穴缓冲层是提高电致发光器件的发射效率的有效方法。 我们已经成功地通过铃木偶联反应合成了由pyr,席夫碱和三羟基叔丁基组成的新型空穴缓冲材料PSB。 根据循环伏安图,HOMO和LUMO的水平分别为-6.33 eV和-2.55 eV。 此外,通过旋涂工艺很容易获得均质膜(均方根粗糙度〜2 nm)。 多层聚合物发光二极管ITO / PEDOT:PSS / PSB / SY / LiF / Al使用PSB作为空穴缓冲层(HBL)制成。 与没有PSB的PSB(9802 cd / m2、2.43 cd / A)相比,插入PSB作为HBL可以显着提高性能(最大亮度:26,439 cd / m2,最大电
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