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TheFundamentalsOfDigitalSemiconductorTesting
fundamntalsofsemiconductordevicessolutions
第三版，涉及：电阻，载流子浓度和掺杂密度，接触电阻和肖特基势垒，串联电阻和沟道长度宽度，阈值电压，缺陷，氧化界面，载流子寿命和迁移率，光学特性，化学物理特性，以及可靠性等多方面问题的研究，是一本优秀的
FundamentalsofPowerSemiconductorDevicesprovidesanin-depthtreatmentofthephysicsofoperationofpowersemi
半导体入门经典资料，做半导体测试和设计必读
宽禁带半导体资源，关于其制备使用等信息，BN,AlN,SiC等
'AN INTRODUCTION TO SEMICONDUCTOR DEVICES' neamen 著
Semiconductor Device Physics and Design by UMESH K. MISHRA University of California, Santa Barbara,
The Fundamentals of Digital Semiconductor Testing.pdf
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