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本文对变压器空载情况下原边感应电动势进行了讲解,对电动势的方向进行了判断。并通过细致入微的分析帮助读者对于变压器空载当中的电动势方向疑虑进行了解答,希望大家在阅读过本文之后能够有所收获,并举一反三发散
IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在
一篇经典论文介绍了小于波长的波导进行低损耗光学传输的技术
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换流器损耗的准确计算对系统设计、器件参数及冷却装置的选择非常重要。通过分析换流器IGBT器件的开关特性，同时考虑结温、死区效应的影响， 提出一种基于曲线拟合理论的通用换流器损耗计算方法。
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如何计算反激电源电路变压器中的各个参数 变压器的经验计算公式
多种电力电子变换电路都采用高频变压器，但由于电路结构的不同，高频变压器的工作电磁过程也不相同，因此高频变压器的设计方法也各有特点。图 5-8 是正激式直流变换器的输出部分，图中电力电子开关S 是单向的
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