在标准平面波（PW）和伪电势计算方案的框架下，由亚GeV暗物质（DM）引起的半导体中电子激发的物理学已被广泛讨论。 在本文中，我们研究了全电子（AE）重建对DM诱导的电子跃迁事件发生率的估计的影响。 作为基准研究，我们首先基于投影仪增强波（PAW）框架内的AE和伪（PS）方案来计算硅和锗块状晶体中的波函数，然后对由此获得的激发事件率进行比较。 两种方法。 事实证明，在动力学上允许大动量传递的过程中，两个计算出的事件发生率可能相差几倍。 发现这种差异源于PS方案中忽略的高动量成分。 因此，隐含着从核心区域中的AE波函数进行校正对于准确估计半导体中DM引起的跃迁事件速率所必需的。