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ADI 的新书《新概念模拟电路-晶体管》，西安交通大学电气工程学院的杨建国携带了一种模型电源。
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铃木雅臣,[晶体管电路设计(上)]
手册几乎含盖了现在世面上所有的晶体管参数.
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一、学习要求二、设计课题(P70)三、电路设计流程简介四、共射极放大器原理与设计举例五、电路安装与调试六、主要性能指标及其测试方法七、电路参数修改八、实验步骤与要求
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部 分意义如下： 第一部分：用数字表
晶体管参数及代换大全
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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声
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