pn结的形成原理
P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入3价元素如硼,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了P型半导体。在P型半导体中,空穴为多字,自由电子为少子,主要靠空穴导电。掺入的杂质越多,空穴的浓度就越大,导电性就越强。 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入5价元素如磷, 使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。在N 型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,故自由电子为多子,空穴为少子。如下图: pn结的形成 当P型半导体和N型半导体接合在一起的时候,由于P型半导体中空穴浓度高,而N型半导体中电子浓度高,因此会形成一个扩散运动,P型半导体中空穴会向它浓度低的地方扩散,从而扩散到N型区,N
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