全息的Weyl半金属/绝缘体转变

Sb对Bi2Te3拓扑绝缘体性能及结构的调控研究，姜颖，王勇，利用分子束外延（MBE）方法制备出厚度为30QLs（quintuplelayers）、具有不同Sb掺杂浓度的Bi2Te3拓扑绝缘体（TI）

利用全息法可产生复杂拓扑结构的光学涡旋且容易实现对涡旋态的控制,但通常情况下衍射效率较低。以掺铁铌酸锂晶体为存储介质,通过对光学涡旋的体全息存储与再现研究,在晶体几何厚度仅为0.6 mm的情况下获得了

全息三维显示具有呈现包含真实物体所有特征的三维场景的能力,这对信息的数据量和分辨率提出了极高的要求。体全息术可以为高分辨率三维显示提供大容量数据存储和基于三维布拉格光栅的实现方式。提出体全息三维显示方

研究基于不同光源照射的体全息光栅成像系统的成像特性。采用波长532 nm的相干光,在2 mm厚的掺铁铜铌酸锂晶体中记录体全息光栅,作为成像系统中的体全息透镜。研究比较成像系统在波长为532 nm和64

时关于二阶微分方程Weyl-Titchmarsh Theory 的一篇论文

优化设计了基于金属掩模的全息光刻微纳光栅制备工艺方案,基于GaAs衬底利用全息光刻和感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术制备出周期为860 nm的光栅图形。将磁控溅射生长的金属硬掩模作为光栅刻蚀的阻

大块金属玻璃ZrTiCuNiBe在玻璃转变附近的流变和扩散研究，王敬丰，柳林，本文采用静态拉伸方法得到了玻璃转变附近Zr41Ti14Cu12.5Ni10Be22.5 (Vit1)的粘度。另外，利用St

高纯半绝缘4H-SiC单晶的制备及研究

含稀土Ce大热输入焊缝金属组织转变行为，余圣甫，邓宇，研究了含稀土Ce大热输入焊缝金属的组织转变行为，实测了双丝埋弧焊焊缝金属的热循环曲线。双丝多道埋弧焊大热输入焊缝金属存在一�

在这项理论工作中,我们进行第一性原理计算,以研究被溴原子(Br)饱和的二维锗烯和硅烯杂化片(GeSiHS)的几何,电子和磁性。 尽管原始的GeSiHS是半金属的,但仅在具有Br的Si原子的单侧半饱和会