E$leq$ 90 keV能区的质子在硅中的能损的研究,张硕,王铁山,为了测量和修正质子在keV能区的能损,本工作利用10、25、80和90 keV的质子沿随机取向注入单晶硅靶,并采用共振核反应分析了氢在硅中的分�