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半导体光刻技术带动着光源逐步向短波辐射方向发展,以KrF-248 nm、ArF-193 nm光源为代表的准分子激光光刻光源逐步取代了以往基于汞灯的光刻光源,成为当前半导体光刻技术发展的主流光源。目前应
以Cr4+:YAG晶体作为可饱和吸收体,利用平凹谐振腔实现了Yb:GdCOB晶体的被动调Q激光运转。当沿X轴切割的厚度为2.0 mm的晶体吸收抽运功率为6.3 W时,所产生的沿Z主轴方向偏振的平均脉冲
利用有机共轭聚合物MEH-PPV 优良的发光特性和光子晶体对光的调制特性,设计制备了有机半导体二维平板的准晶光子晶体激光器。该激光器是以MEH-PPV 为增益介质,利用二维平板准晶光子晶体点缺陷和上下
文章叙述了激光的政策背景和发展方向,同时对激光的前沿和新材料及用处做了较为详细的介绍。
报道了双掺钕铬的钙镁锆钆镓石榴石单晶的生长及激光性能。用提拉法、高频感应中热、铱坩埚成功地生长出尺寸为φ18×60~80mm完整透明的晶体毛坯,并加工成φ5×40mm的激光棒。得到的激光输出斜率效率达
早在1946年Purcell就探讨了微腔对电磁场和材料耦合的调制作用,自发辐射在光波长量级的腔中受到调制而增强。光子晶体的带隙效应为实现更高品质因子和更小模式体积提供了途径,如三维光子晶体可以从空间三
在BeAl2O4:Cr3+晶体生长中发现一种新型夹杂物。用电子探针进行了组分分析并对其形成机制作出了解释。
晶体石英置于He-Ne激光谐振腔中,由于双折射效应,会产生激光频率分裂。本文报道了频率分裂量与光线光轴夹角的非线性关系及对此现象的研究,实验结果表明频率分裂曲线与石英族光性曲线有对应关系,即旋光性是一
基于晶体中线性偏振波的耦合波理论以及光折变效应的能带传输模型,求出了体全息存储系统中光折变晶体动态范围的解析表达式。以LiNbO3:Fe和BaTiO3晶体为例,讨论了读写光束与晶体作用的几何结构形式、
激光一出现,法国的激光工业(包括光学和电光工业的附加部分)就随之兴起。早在1961年,在法国两家主要电子公司里就建立了第一批工业研究小组。这两家公司是在科布维耳的无线电报公司(后与汤姆逊公司合并)与在
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