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针对 GI B T 初能模块 (1 P M )的羞本特性 , 提 出了采用 光藕 、 双 高孩脉 冲变 压器及单 高孩脉 冲 变压器三种驭动 控创电舟 . 研究了 P w M 信号的快速 传物特性 ,
目前,为了防止高dV/dt应用于桥式电路中的IGBT时产生瞬时集电极电流,设计人员一般会设计栅特性是需要负偏置栅驱动的IGBT。然而提供负偏置增加了电路的复杂性,也很难使用高压集成电路(HVIC)栅驱
单正向栅驱动IGBT是器件发展的巨大进步。IRGP30B120KD-E的C值很低,在单正向栅驱动条件下,其开关性能非常理想。器件不需要负偏置栅驱动便能可靠关断,即使在集电极的dV/dt为3V/ns。与
率场效应晶体管由于具有诸多优点而得到广泛的应用;但它承受短时过载的能力较弱,使其应用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驱动与保护电路的设计要求;计算了MOSFET驱动器的功耗及MOSFET驱动器与
电路设计方案
IGBT的概念是20世纪80年代初期提出的。IGBT具有复杂的集成结构,它的工作频率可以远高于双极晶体管。IGBT已经成为功率半导体器件的主流。在10~100 kHz的中高压大电流的范围内得到广泛应用
IGBT的实用的驱动电路，以及一些设计细节
IGBT短路保护，电机驱动设置等，提供设计思路等电路方式。
绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点，既具有MO
0 引言 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率
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