CMOS集成电路工艺.rar
生长一层薄氧化层 淀积一层氮化硅 光刻场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区离子注入 热生长厚的场氧化层 去掉氮化硅层、薄氧化层
文件列表
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CMOS集成电路工艺
10.3 CMOS集成电路工艺集成.pdf
614KB
10-5-第3章 热氧化.pdf
2.85MB
9.3--1 刻蚀技术-干法刻蚀 典型应用.pdf
520KB
8.3.4光刻-光学曝光增强技术.pdf
649KB
8.3.6 光刻-新技术展望.pdf
322KB
16-8-31第1章 硅片制造.pdf
1.44MB
9.2 刻蚀技术-湿法刻蚀.pdf
912KB
6.1 CVD（上）（新）.pdf
1.46MB
8.3.3 光刻-紫外曝光技术.pdf
381KB
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