金属氧化物半导体场效应晶体管是由一个金氧半二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展，并且成为微处理器与半导体记忆体等先进集成电路中最重要的元件。随着超大型集成电路的快速发展，浅沟槽隔离技术在MOSFET制成中得到了广泛的应用。当MOSFET的有效通道长度和宽度的尺寸越来越小时，一种MOS器件的失效模式：双峰效应也越来越受到人们的重视。