0.13微米CMOS逻辑器件的电容微缩实现,宋锴焱,成中敏,本篇文章主要研究了对0.13微米CMOS逻辑器件进行90%微缩后,电容层的微缩工艺的实现;在0.13微米平台的基础上对介电层的沉积厚度以及介