大型强子对撞机的高亮度升级预计在2026年进行,因此有必要更换CMS实验的硅跟踪器。 新像素检测器的最内层将暴露于严重的辐射,相当于1 MeV中子当量注量的最大eq = 2×1016 cm -2,电离剂量为≥5MGy 3000 fb -1的综合光度。 薄的平面硅传感器是此应用的理想选择,因为遍历粒子所产生的信号的降级不如较厚的设备严重。 在本文中,显示了从表征100和200μm厚的p-bulk焊盘二极管和条状传感器辐照到eq = 1.3×1016 cm -2的通量获得的结果。