完全自保护MOSFET功率器件分析

1HASH函数在软件自保护中的应用

MOSFET和IGBT是当前变流器中应用最广泛,最重要的两类核心器件。MOSFET主要应用在低压和中压(中小功率),IGBT主要应用在高压和中压(大功率)领域。

在电源设计中,工程师通常会面临控制 IC 驱动电流不足的问题,或者面临由于栅极驱动损耗导致控制 IC 功耗过大的问题。为缓解这一问题,工程师通常会采用外部驱动器。

随着功率MOSFET的工作电压和电流大幅度增加，芯片尺寸的不断减小，导致功率MOSFET器件芯片的内部电场进一步增大，这些因素对功率MOSFET的可靠性提出了新的挑战。不断提高器件的可靠性成为了人们关

MostCMOSICs,givenproperconditions,can“latch”(likeanSCR),creatingashortcircuitfromthepositivesupplyvo

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出两款40V车用COOLiRFET功率MOSFET 产品--AUIRFN8459和

MOSFET, IGBT及宽禁带功率器件栅极驱动器设计基础

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK

Vishay推出新型 20V p 通道 TrenchFET 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB,该器件采用 MICRO FOOT 芯片级封装,具有业界最小占

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布推出RQA0010和RQA0014高频功率MOSFET,以实现业界功效级别和IEC61000-4-2的4级ESD标准的高可靠性。