功率器件MOSFET开关过程大揭秘

功率MOSFET的驱动当然色可使明射极跟随器。最近,制作了很多使用功率MOSFET的高速开关电源。观察开关电源用控制IC的数据表,就会发现作为功率MOS的常见驱动的设备。 代表性的开关电源用控制I

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH06

IGBT,PowerMOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件,都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和、过载、短路造成的损害。本文通过Avago参与的八大问答讨

引言 功率金属氧化半导体场效应晶体管 (Power MOSFET) 是当今电源中广泛使用的开关器件。功率 MOSFET 的工作频率不断提高,以减小器件尺寸和提高功率密度。这样就会增加电流变化率 (di

功率MOSFET具有导通电阻低、负载电流大的优点,因而非常适合用作开关电源(switch-mode power supplies,SMPS)的整流组件,不过,在选用MOSFET时有一些注意事项。功率M

过去15到20年间,汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展成为蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象。且封装很简单,主要

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IR2130的内部结构如图3-2所示。由图可见,IR2130内部集成有一个电流比较器CC、一个电流放大器CA、一个自身工作电源前置电压检测器UVD、一个故障逻辑处理单元FL及一个锁存逻辑CL。除上述外

解释功率MOSFET 数据手册中提供的参数和图表，其目标是帮助工程师确定针对特定应用的最佳器件。例如，当主要考虑开关损耗时，便尽可能减少开关电荷；而主要考虑导通损耗时，则尽可能降低导通电阻。