高功率半导体激光器和二极管抽运固体激光器
第02章 半导体二极管及基本电路 37页
塑封变容二极管适合在通信设备、数宇电路中作调谐、频率自动微调用,它们的外形如图一所示,主要特性参数见表一. 图一 塑封变容二极外形 表一 塑封变容二极主要特性参数
(1)按材料分类 二极管按材料分类可分为锗管和硅管两大类。两者性能的区别在于:锗管正向压降比硅管小,锗管反向漏电流比硅管大,锗管PN结可以承受的温度比硅管低。 (2)按用途分类 二极管按用
基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间
隧穿二极管是1958年由日本的L.Esaki提出的,也叫f江崎二极管”。隧穿二极管是PN结二极管的一种特殊形式,其半导体材料的载流子掺杂浓度为每立方厘米10(19)或1020个原子,这是普通的PN结二
一般的二极管是利用PN结的单方向导电的特性,而肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒(barrier)整流作用,这个接触面称为“金属半导体结”,其全名应为肖特基势垒二极管,简称为肖特基二极管
硅变容二极管适合在各类无线电、通信设备中作调谐、频率跟踪、稳频及解码锁相用。硅变容二极管的外形如图一,其主要特性参数见表一. 图一 硅变容二极管外形 表一 硅变容二极管主要特性参数
稳压二极管稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于
变容二极管是电子可变电容。换句话说,变容二极管表现出来的电容是反偏电势的函数。这种现象导致了变容二极管在一些需要考虑电容因素的场合的几种常见应用。图1为一个典型的变容二极管调谐的LC振荡电路。电路耦合
