TVS二极管的主要参数及如何选用TVS二极管
因为电容器的容量不能无限小,所以既要进行小型化处理又要保持其容量是DRAM高集成化的重点。基本电介质的介电常数为ε,电极面积为S,电极间距离为歹,假设电容器的容量为C,则: C=ε×S÷d
玻璃釉电容器的介质是玻璃釉粉加压制成的薄片。因釉粉有不同的配制工艺方法,因而可获得不同性能的介质,也就可以制成不同性能的玻璃釉电容器。玻璃釉电容器具有介质介电系数。大、体积小、损耗较小等特点,耐温性和
瓷介电容器又称陶瓷电容器,它以陶瓷为介质,涂敷金属薄膜(一般为银)经高温烧结而形成电极,再在电极上焊上引出线,外表涂以保护磁漆,或用环氧树脂及酚醛树脂包封,即成为瓷介电容器。 作为瓷介电容器介
本文将超级电容器用于整流滤波,并进行设计和具体实现,测试证明,超级电容器可以用于电源输出端的整流滤波,而且其滤波效果俱佳。其与电解电容器相比,具有其很大的优势。
微调电容器是由两极片间夹有绝缘介质组成的,绝缘介质通常用云母片或有机薄膜。瓷介微调电容器则是在两个陶瓷体上镀银制成的。调节两金属极片间的距离或改变它们的交叠角度即可改变它们的电容量。还有一种微调电容器
陶瓷电容器采用如图所示的叠层或片状结构。首先用钛酸钡黏结剂和黏结材料在陶瓷基片上烧成一层薄膜,然后再涂一层金属化油墨,以形成电极板。这些片被一层层地堆积起来,放到炉内加热,而后分开形成单个电容器。陶瓷
引言 Knowles公司Syfer品牌的电容应用温度区间为-55°C到+150°C,如下表所示: 一些汽车电子或工业应用常常会提出严格的温度需求,特别是高达200°C的应用。普通产品可能不适合额
在集成电路中,电容也是一个重要的元件。IC中应尽量避免使用电容器,因电容器占面积大。在双极型模拟集成电路中,集成电容器用作频率补偿以改善电路的频率特性。在MOS模拟集成电路中,由于在工艺上制造集成电容
CTZ3型片状微调电容器在电路中具有微细调节的功能,在高频电路中有着广泛的应用。CTZ3型片状微调电容器其主要特性参数见表。 表:CTZ3型片状微调电容器主要
