集成电路工艺技术讲座-离子注入

铜离子注入铌酸锂的离子束增强刻蚀，王磊，项炳锡，采用MeV铜离子注入的方法注入铌酸锂单晶样品，研究了铜离子注入铌酸锂的增强刻蚀特性。利用湿法刻蚀、金相显微镜、扫描电子显微镜

美国国家半导体公司的专有 BiCMOS 模拟工艺技术可以大幅提高该公司的新一代高精度、低功率、低电压运算放大器的性能,为低功耗、低噪音的放大器创立一个全新的业界标准。今后便携式电子产品、医疗设备、工业

半导体工艺精选篇

冲压是利用安装在压力机上的冲模对材料施加压力,使其产生分离或塑性变形,从而获得所需要零件的一种压力加工方法。

印制电路技术资料度与后续可靠度更有把握起见，业界约在十余年前即于铜面逐渐采用化镍浸金(Electroless Nickel and Immersion Gold;EN/IG)之镀层，作为各种SMT焊垫

PCB压板工艺技术，希望对别人有帮助

自从1985年我国引入第一条SMT生产线，真正能用好SMT和选好正确工艺的厂家却很少，一直存在不良品。电子技术一直高速发展，随着电子组装的深入发展，高密度、新型元器件的广泛应用以及产品可靠性要求的不断

集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺,

硅超大规模集成电路工艺技术——理论、实践与模型(英文版)

内容: 1 典型pn结隔离工艺 1.1 pn结隔离工艺的工艺流程 1.2 典型pn结隔离的实现及埋层作用 1.3 pn结隔离结构形成的说 明 2 介质隔离工艺 2.1 介质隔离工艺的工艺流程 2.2