可控硅坏的原因有哪些

可控硅坏的原因有哪些 1、电压击穿 可控硅因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。 2、电流损坏 电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。 3、电流上升率损坏 其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。 4、边缘损坏 他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。 如何保护可控硅不被损坏 1、过电压保护 晶闸管对过电压很敏感,当正向电压超过其断态重复峰值