暂无评论
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通过,因而低频的表态驱动功率接近于零。但 是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs,因而在高频率的交替
本文主要介绍了有关隔离驱动IGBT等功率器件的设计技巧。
因IGBT具有电流拖尾效应,在关断时要求更好的抗干扰性,需要负压驱动。MOSFET速度比较快,关断时可以没有负压,但在干扰较重时,负压关断对于提高可靠性有很大好处。
收集了几种硬件IGBT驱动方法，对于设计IGBT驱动的朋友很有帮助
N531 是一款通用的功率开关控制器，可以直接驱动 IGBT，功率 MOSFET，继电器等功率开关。TO-94 封装，简单小巧
详细介绍了MOSFET,IGBT的隔离驱动方法，有实例
1 引言 近年来,新型功率开关器件IGBT已逐渐被人们所认识。与以前的各种电力电子器件相比,IGBI、具有以下特点:高输入阻抗,可采用通用低成本的驱动线路;高速开关特性;导通状态低损耗。IGB
电路设计方案
随着器件应用领域越来越广,电源设备变换功率越来越大,电磁干扰也相应增强。为此必须提高控制板的抗干扰能力,提高驱动耐压等级。于是,光纤的使用也就成为了必然。
功率器件,如IGBT,PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等,都需要有充分的保护,以避免如欠压,缺失饱和,米勒效应,过载,短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为
暂无评论