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A low noise 3.39μm He-Ne laser with quartz discharge tubes of separate sections is developed. Compar
具有出色光管理的楔形半导体纳米墙阵列
目前,减小二极管激光器输出光束的扩散角已成为一个集中研究的课题。基于宽度相同的激光器发出的窄光束,其横向扩散角是5°。锁相阵激光器发出的光束,其横向扩散角只有1.5、它可用于基模振荡和高次模振荡。然而
描述二极管特性的物理量称为二极管的参数,它是反映二极管电性能的质量指标,是合理选择和使用二极管的主要依据
半导体三极管除了特性曲线可以表示其特性外，还要用一些技术参数，而且两者可以互相补充，以利于合理地选用半导体三极管。在半导体三极管手册中可以看到以下一些常用的主要技术参数。
半导体二极管的种类很多，通常可按用途、结构及制作工艺、PN 结组成材料及封装形式进行分类，分类情况如图14-3 所示。图中的敏感二极管、电压抑制二极管和发光二极管将在有关的章节中介绍。
国产二极管的型号命名规定由五部分组成,即:
瞬态电压抑制二极管通常采用二极管式的轴向引线封装，如图所示。它的最基本核心单元为芯片，芯片是由半导体硅材料扩散而制成的，芯片有单极型和双极型两种结构。 单极型瞬态二极管有一个PN结; 双极型瞬态二极管
文中基于推进我国瞬态电压抑制二极管(TVS)自主研发能力的目的,通过调研TVS的发展历程及近年的研究热点,综述了TVS的制备工艺和主要结构。同时,介绍了TVS的工作机制和主要参数,并重点描述了近年来国
安森美半导体推出新的超低电容静电放电(ESD)保护器件系列的首款产品。新的ESD9L是一款单线ESD保护器件,提供0.5皮法(pF)电容和业界领先的低钳位电压。这元件采用适合ESD保护应用的业内最小封
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