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亿光电子(Everlight Electronic)推出新款红外线产品,单信道EL2XX 和双信道ELD2XX系列的8-pin SOP光敏晶体管耦合器,据称可提供产品及电路设计者的光耦合器。 该新
目前极大多数的光耦输入部分采用砷化镓红外发光二极管,输出部分采用硅光电二极管、硅光电三极管及光触发可控硅。这是因为峰值波长900~940nm的砷化镓红外发光二极管能与硅光电器件的响应峰值波长相吻合,可
研究利用光纤中光致折变效应研制的光纤波导折射率沿轴向渐变的Taper器件的模式耦合特性.在标量场近似下,用本地模表示的方法分析在阶梯折射率分布光纤和平方律折射率光纤的轴向折射率渐变过渡结构中传输的基模
光爷转换器.......................
AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料。经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展。以此为基础,A
IC 种类复杂，但可粗分为记忆体IC、微元件IC、逻辑IC及类比IC 四大类。IC的制作过程，由矽晶圆开始，经过一连串制程步骤，包括光学显影、快速高温制程、化学气相沉积、离子植入、蚀刻、化学机械研磨与
本文主要关于利用电磁场缝隙、微带线之间的耦合，设计高性能超宽带带通滤波器
MOS器件的原理，设计，应用，版图，工艺，封装，测试
电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情，比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或
半导体器件与工艺,需要学习的朋友可以看看
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