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本文将简单介绍慢恢复管在开关电源中的用处
代号为HD1的高压功率双极晶体管系列产品是专门为超薄高清CRT(阴极射线管)显示器设计的,能够满足超薄高清CRT对水平偏转应用的苛刻要求。 新型CRT的深度通常比上一代产品缩减30%,显像管的深度被大
0 引言 开关电源具有效率高、重量轻、体积小,稳压范围宽等突出优点,从20世纪中期问世以来,发展极其迅猛,在计算机、通信、航天、办公和家用电器等方面得到了广泛的应用,大有取代线性稳压电源之势。提高
晶体管参数都与温度有关,因此不空忽视。温度对下列的3个参数影响最大。
由Intel于2011年5月6日研制成功的世界上第一个3D三维晶体管“Tri-Gate”现在已经逐步进入大家的视线了,本文将介绍3D晶体管的优势。 3D晶体管 Tri-Gate使用一个薄得不可思议
我们在维修、设计和实验或试制中,常常会碰到晶体管的置换(代换)问题。如果掌握了晶体管的置换(代换)原则,就能使工作初有成效。其置换(代换)原则可划分为三种:即类型相同、特性相近、外形相似。 一、类
1)暗电流ID,无光照射时,光敏晶体管发射极E与集电极C之间的漏电流(流过集电极的反向电流)此值越小越好。 2)光电流IL,当管子受到光照射时,光敏晶体管的集电极电流,此值越大说明光敏晶体管的灵
Zetex Semiconductors推出一系列采用SOT23封装的中电压双极晶体管,可以处理达1.25W的功耗。新系列包括七款NPN和六款PNP器件,面积为3×2.5mm,可以取代体积更大的DPA
世界晶体管手册，快速查找晶体管资料，包括所有型号的三极管，MOS管等
将MOS晶体管的栅漏连接,因为VGS=VDS,所以,VDS>VGS-VTN, 导通的器件一定工作在饱和区。这时,晶体管的电流-电压特性应遵循饱和区的萨氏方程 IDS=KN/2·W/L·(VGS-
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