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这里以半导体三极管为例进行介绍。半导体三极管的热量是由集电极和发射极的pN结产生的。由于集电结工作时加反向偏置电压,有很高的电阻,所以会产生很多的热量。实际上集电结产生的热量远远大于加正向偏压的发射结
日本生产的半导体器件型号,均按日本工业标准JIS一C一7012规定的日本半导体分立器件型号命名方法命名。 日本晶体管型号命名由五个基本部分组成其符号及其含义见表。
半导体器件的计算机模拟方法,书籍资料，仅供学习。
教学要求1.1半导体的特性1.1.1本征半导体1.1.2杂质半导体1.2半导体二极管1.2.1PN结及其单向导电性1.2.2二极管的伏安特性1.2.3二极管的主要参数1.2.4二极管的电容效应1.2.
本设计采用单片机AT89S52作为恒温系统的核心部件，丰导体制冷片TEC-12706作为恒温控制系统的执行部件。运用模糊PID控制算法实现温度快速、稳定、精确控制。系统通过模糊PID算法改变单片机输出
电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等。对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情,比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或
半导体光电器件是把光和电这两种物理量联系起来,使光和电互相转化的新型半导体器件。光电器件主要有,利用半导体光敏特性工作的光电导器件,利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。这一节中简略地向
（1）PN结的反偏和正偏指的是PN结在不同偏置电压下的状态。正偏是指外加电压使得PN结的载流子扩散加剧，反偏是指外加电压使载流子阻挡。 （2）二极管是非线性元件，通常通过使用合适的电路设计将其伏安
电子元器件基础知识（1）——半导体器件 一、 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意
为实现对高功率半导体激光器快速、有效、无损的质量检测和可靠性筛选,对器件进行了电导数和光导数测试及分析。结果表明高功率半导体激光器的结电压饱和特性与其质量和可靠性紧密相关。结电压饱和特性不好的器件一般
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