晶体中电子的能带理论图解
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基础电子中的S一2型封装形式的晶体管
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5 2020-11-26 -
基础电子中的S一1型封装形式的晶体管
S一1型封装形式的晶体管外形如图所示。它又可分为S一lA型、S一lB型和S一lC型三种。 采用此种封装的晶体管多为小功率三极管,如3DG9011、3DG8、3DG8050、3DG2O1、3DG901
6 2020-11-26 -
基础电子中的晶体三极管的外形电路
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11 2020-11-26 -
基础电子中的BY2型测温石英晶体谐振器
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10 2020-11-26 -
电子测量中的晶体管位式时间比例电路
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11 2020-11-17 -
基础电子中的温补石英晶体振荡器
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9 2020-11-26 -
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38 2020-05-27 -
基础电子中的半导体电致发光基础理论
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18 2020-11-17 -
微波与光电子学中的电磁理论
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39 2019-01-11 -
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(浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027)摘 要:晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。通过红外扫描仪观察晶体硅中的晶界、位错和不同金属沉淀的分布和形貌,并分析其相关信息。与传
7 2020-12-13
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