我们通过在美因茨Microtron(MAMI)上进行的C12(e→,e'p→)过程测量了从电子转移到C12中的束缚质子的极化的横向和纵向分量的比率Px / Pz。 对于s壳和p壳敲除质子,我们观察到了标准化为自由质子比(Px / Pz)C12 /(Px / Pz)H1的该比的一致偏差,即使它们嵌入平均值 局部密度相差大约两倍。 双倍率对质子虚拟性的依赖性类似于从H2和He4中剔除质子的质子虚拟性,表明存在普遍行为。 它进一步暗示不依赖于平均局部核密度。