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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 兼有
分析了HGL-20型横流CO2激光器的腔式结构,论述了外桥内腔式结构、光腔精密调节系统对改善激光谐振腔稳定性的作用.分析了电源测控系统、光腔及功率测控系统、真空测控、自动充排气系统、温度测控系统、安全
采用高温固相法成功合成了新型BaMoO4:Pr3+黄绿色荧光材料,并对其晶体结构、形貌和发光性质进行了研究。X射线衍射(XRD)测试结果表明在1300 °C制备的样品具有白钨矿类结构晶体,样品的形貌在
前言 商品化的、发光效率大于100 lm/W 的照明级高亮度白光LED(HBW-LED,以下简称为LED)技术的飞速发展,为第四代照明带来了前所未有的机遇,是一种具有广泛应用前景、性能优良的道路照
在当今全球能源紧缺的环境下,节约能源已成为大势所趋。同时,国家也大力倡导节能减排,已结束的2008年北京奥运会和即将到来的2010年上海世博会都不约而同地以绿色节能为主题,这就给中国LED照明产业的发
硅功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损
激光核聚变成功与否,取决于大功率激光器的发展。为此,效率高(6%以上)、输出大(10千焦耳)、脉宽短(毫微秒以下)、波段适当的激光器的研制工作正在进行。由这种条件推定的激光器的规格汇总示于表1。
集成LED光源就是将若干颗LED芯片集成封装在同一个支架上,通过内部连接,实现高功率LED的一种封装形式,体积较大,功率一般在10W以上,通常指代的是 CHIP on Board封装形式,随着LED照
摘要:大功率LED 得以广泛应用,主要由于其寿命长、体积小、电转化效率以及高色温等特点。但是在LED 的推广应用中,高效稳定的散热问题成为了重要阻碍。本文着重对大功率LED 的散热问题进行了探讨。
本文应用光源显色性原理分析影响产品显色性的因素, 并通过相关的试验, 探讨如何通过材料选型和工艺措施, 控制由蓝光LED激发荧光
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