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摘要:设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器,在提出一种创新结构的LDO,把带隙基准电压源和误差放大器合二为一,因而实现了低静态电流消耗的目的。设
SMOS bandgap reference source design
基准电压源的关键技术是电压温度系统CT,它表示由于温度变化而引起输出电压的漂移量,简称温漂,单位是10的6次方/度(即1PPM/度)。
基准IC REF3020 为 AD、 运算放大器提供基准源
为什么基准电压源远不如数据手册上保证的精度? 很多情况下是因为使用不当。 如果基准电压源使用不当,就会带来麻烦。 有三种常见的使用不当可能会导致这样的问题: 裕量不足、负载不正确和反向输出电流。 前两
基准电压源电路有许多方法可以设计基准电压源IC,而每种方法都有特定的优点和缺点。基于齐纳二极管的基准电压源深埋齐纳型基准电压源是一种相对简单的设计。齐纳(或雪崩)二极管具有可预测的反向电压,该电压具有
MAX9679A VCOM基准电压源
TL431 基准电压源.pdf
非常具有参考使用价值和意义的带隙基准源参考资料
采用电流求和结构,提出了一种高性能BiCMOS差分参考电压源,引入零反馈补偿技术有效提高了差分参考电压的电源抑制比,电流求和温度补偿技术保证了差分参考电压的高精度、低温漂。基于ASMC 0.35&am
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