NAND Flash的坏块处理

存储器通常分为两类型,即随机存取的RAM与只读的ROM。随着存储器技术的发展和嵌入式系统的要求一些新的混合型的存储器迅速发展起来,本章就目前广泛应用于嵌入式系统中的新一代存储器Nand-Flash、

ARe-configurableFTL(FlashTranslationLayer)ArchitectureforNANDFlash论文

基于NAND Flash的嵌入式存储系统以其轻巧便携、读写速度快等特点成为当前嵌入式存储系统的主流配置。但由于固有坏块以及在擦、写过程中随机产生的坏块影响了NAND Flash的实际应用,所设计的NA

NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(

三星公司 NAND FLASH 闪存芯片型号命名规则

这个是MLC NAND Flash BCH的纠错码算法文档，里面有C的源文件，请在Unix下用GCC编译，VC下请自行修改。

Nand_Flash详述(绝对经典)，讲的比较详细，适合初学者

介绍NAND512-A系列FLASH的手册

兆易电子的1Gb/2GbSPINANDFlashMemory数据手册，可作为软件驱动开发人员参考。

51单片机对nandflash读写/*Project:nandflashtest*//*File:flash.h*//*Organization:cug-120050180*//*Author:yuy