MOS管被静电击穿的几个原因

本文主要讲了mos管击穿原因，希望对你的学习有所帮助。

本文主要对MOS管被静电击穿的原因进行了分析，希望对你的学习有所帮助。

MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q/C)将管子损坏),又因在静电

其实MOS管是一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电。又因为在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是

LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节,难免不受静电感应影响而产生感应电荷。

MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回事？下面为大家一一揭晓

导读: LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节,难免不受静电感应影响而产生感应电荷。 LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、

讨论了管击穿的分类, 以及击穿时场强分布情况, 在此基拙上, 列举和分析了 管击穿的发生区域, 主要是结击穿和漏区击穿文章对雪崩击穿和穿通击穿机理进行了描述, 并对 管开启击穿进行了分析。 关键词：击

MOS管被击穿的原因及解决方案如下: 第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压(U=Q/C),

本文是讲MOS管的几种“击穿”。